敏化晶間腐蝕發(fā)生在焊接構(gòu)件或在450 ~ 850℃加熱的構(gòu)件的焊縫熱影響區(qū)，在介質(zhì)的作用下導(dǎo)致這些構(gòu)件的泄漏或損壞;產(chǎn)生敏化晶間腐蝕的設(shè)備和部件的尺寸和形狀幾乎沒有變化，沒有任何塑性變形;除腐蝕區(qū)域外，其他部位無腐蝕跡象，仍有明顯的金屬光澤;局部抽樣檢測表明，腐蝕部位的強(qiáng)度和塑性已嚴(yán)重喪失。冷彎時(shí)，不僅有裂紋，還有脆性斷裂和顆粒脫落，地面上沒有金屬聲。

晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質(zhì)，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學(xué)成分不同，在合適的介質(zhì)中形成腐蝕電池。晶界為陽極，晶界為陰極，晶界產(chǎn)生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質(zhì)。

根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導(dǎo)致晶界處銅含量較低。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛?，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。