晶界吸附理論:超低碳不銹鋼經(jīng)1050℃固溶處理后，在強氧化介質(zhì)中也會發(fā)生晶間腐蝕。這時，鉻差或不銹鋼不能采用σ相析出理論。實驗表明，當p雜質(zhì)達到100ppm或Si雜質(zhì)達到1000 ~ 2000ppm時，它們會在高溫區(qū)晶界處吸附分離。這些雜質(zhì)在強氧化劑介質(zhì)的作用下會溶解，在晶界處產(chǎn)生選擇性晶間腐蝕。該鋼經(jīng)敏化處理后不會出現(xiàn)晶間腐蝕，因為碳和磷形成了磷碳化物，限制了磷向晶界的擴散，降低了雜質(zhì)在晶界的偏析，消除或減弱了對晶間腐蝕的敏感性。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。

P. Si、B等雜質(zhì)元素沿晶界偏析引起的非敏化晶間腐蝕只是晶界與晶體間形成化學(xué)濃度差而引起的簡單電化學(xué)腐蝕過程，或者是偏析導(dǎo)致的晶界耐蝕性下降，或者還有其他因素，需要進一步探討。

在某些合金介質(zhì)體系中，常發(fā)生嚴重的晶間腐蝕。例如，奧氏體不銹鋼在弱氧化介質(zhì)(如曝氣海水)或強氧化介質(zhì)(如濃硝酸)等特定腐蝕介質(zhì)中可能產(chǎn)生嚴重的晶間腐蝕。