晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。

晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質(zhì)，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學成分不同，在合適的介質(zhì)中形成腐蝕電池。晶界為陽極，晶界為陰極，晶界產(chǎn)生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質(zhì)。

非敏化晶間腐蝕通常發(fā)生在遠離焊縫的母材上。其識別與敏化晶間腐蝕基本一致。在金相顯微鏡和掃描電鏡下觀察了Cr - Ni奧氏體不銹鋼在尿素生產(chǎn)裝置中的非敏化晶間腐蝕形貌。結果表明，這與上述的敏化晶間腐蝕有很大的不同。主要表現(xiàn)為寬大的晶間腐蝕裂紋，但往往延伸較淺，常伴有晶粒脫落，但在晶界處沒有析出物。

在不銹鋼可能產(chǎn)生晶間腐蝕的區(qū)域，是否發(fā)生晶間腐蝕以及腐蝕的程度是由鋼熱處理系統(tǒng)對晶間腐蝕的敏感性決定的，即取決于加熱的程度、時間和冷卻速度。在750℃以上，析出不連續(xù)顆粒，Cr容易擴散，不發(fā)生晶間腐蝕。在600 ~ 700℃時，網(wǎng)狀Cr23C6析出，晶間腐蝕最為嚴重。在600℃以下，Cr和C擴散緩慢，形成碳化物的時間較長，腐蝕減弱。450℃以下:難以晶間腐蝕。