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根據稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導致晶界處銅含量較低。
奧氏體不銹鋼雖然是一種焊接性能優(yōu)良的鋼，但在焊接熱影響區(qū)相對母材再次受熱，導致熔化線附近碳化物析出，晶間腐蝕嚴重。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學成分不同，在合適的介質中形成腐蝕電池。晶界為陽極，晶界為陰極，晶界產生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質。
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